Le nombre total d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:
fabricant:
Renesas Electronics America Inc. est une société américaine.
Description:
MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Caractéristiques
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Operating Temperature:
175°C (TJ)
Emballage / boîtier:
TO-263-7, D²Pak (6 fils + languette)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
297 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
1.05mOhm @ 90A, 10V
FET Type:
N-Channel
Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé):
10 V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
40 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
15750 pF @ 25 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
-
Supplier Device Package:
TO-263-7
Mfr:
Renesas Electronics America Inc
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
180A (Tc)
Power Dissipation (Max):
1.8W (Ta), 348W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
NP180N04
Introduction
N-canal 40 V 180A (Tc) 1,8W (Ta), 348W (Tc) Monture de surface TO-263-7
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