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Le numéro de série FDMS86300

fabricant:
Uniseme
Description:
MOSFET N-CH 80V 19A/80A 8PQFN
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Caractéristiques
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
Caractéristique de FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4.5V @ 250µA
Température de fonctionnement:
-55°C à 150°C (TJ)
Package / Case:
8-PowerTDFN
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs:
86 OR @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
3.9mOhm @ 19A, 10V
Type de FET:
N-canal
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
8V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
80 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
7082 pF @ 40 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
PowerTrench®
Supplier Device Package:
8-PQFN (5x6)
Mfr:
onsemi
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
19A (Ta), 80A (Tc)
Power Dissipation (Max):
2.5W (Ta), 104W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
FDMS86
Introduction
Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à la puissance de l'appareil
Envoyez le RFQ
Courant:
MOQ: