Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre.
fabricant:
Vishay Siliconix
Description:
MOSFET P-CH 20V 6A SOT23-3
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Caractéristiques
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
Caractéristique de FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
1V @ 250µA
Température de fonctionnement:
-55°C à 150°C (TJ)
Package / Case:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
25 nC @ 4.5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
39mOhm @ 4.6A, 4.5V
FET Type:
P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
1.8V, 4.5V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
20 V
Vgs (Max):
±8V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
1090 pF @ 10 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
TrenchFET®
Supplier Device Package:
SOT-23-3 (TO-236)
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
6A (Tc)
Power Dissipation (Max):
1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SI2323
Introduction
Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à 0,25 W.
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Les données de référence doivent être fournies conformément à l'annexe II.
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Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'Union européenne.
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Le numéro de série IRFP21N60LPBF
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Les résultats de l'analyse sont publiés dans le Bulletin de l'OMS.
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Les résultats de l'enquête sont publiés dans le Bulletin de l'OMS.
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Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre de l'expédition.
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