Le nombre de fois où les données sont utilisées est le même.
fabricant:
Vishay Siliconix
Description:
MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Caractéristiques
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
1V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Emballage / boîtier:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Il est interdit d'utiliser le produit.
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
25 nC @ 4.5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
Pour les appareils à commande numérique, la valeur de l'indicateur doit être égale ou supérieure à:
FET Type:
P-Channel
Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé):
1.8V, 4.5V
le paquet:
Tape et bobine (TR)
Tape à découper (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
12 V
Vgs (Max):
±8V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
1225 pF @ 6 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
TrenchFET®
Supplier Device Package:
SOT-23-3 (TO-236)
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
7.1A (Tc)
Power Dissipation (Max):
1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SI2333
Introduction
Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à 0,25 W.
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Les données de référence doivent être fournies conformément à l'annexe II.
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