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Le nombre total d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:

fabricant:
Vishay Siliconix
Description:
MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Caractéristiques
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
3V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Emballage / boîtier:
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Il est interdit d'utiliser le produit.
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
6.8 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
Le système de freinage doit être équipé d'un dispositif de freinage.
FET Type:
N-Channel
Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé):
4.5V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
60 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
190 pF @ 30 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
TrenchFET®
Supplier Device Package:
SOT-23-3 (TO-236)
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
2.3A (Tc)
Power Dissipation (Max):
1.09W (Ta), 1.66W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SI2308
Introduction
N-canal 60 V 2.3A (Tc) 1,09W (Ta), 1,66W (Tc) Monture de surface SOT-23-3 (TO-236)
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Image partie # Description
Les données de référence doivent être fournies conformément à l'annexe II.

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Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'Union européenne.

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Les résultats de l'analyse sont publiés dans le Bulletin de l'OMS.

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Les résultats de l'enquête sont publiés dans le Bulletin de l'OMS.

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Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre de l'expédition.

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