IRF510PBF
fabricant:
Vishay Siliconix
Description:
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Caractéristiques
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Emballage / boîtier:
TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
8.3 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
Pour les appareils de traitement des gaz, la valeur maximale de l'échantillon doit être égale ou sup
FET Type:
N-Channel
Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé):
10 V
Package:
Tube
Drain to Source Voltage (Vdss):
100 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
180 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
-
Supplier Device Package:
TO-220AB
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
5.6A (Tc)
Power Dissipation (Max):
43W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IRF510
Introduction
N-canal 100 V 5.6A (Tc) 43W (Tc) à travers le trou TO-220AB
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Le numéro de série IRFP21N60LPBF
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Les résultats de l'enquête sont publiés dans le Bulletin de l'OMS.
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