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fabricant:
Infineon Technologies
Description:
MOSFET N-CH 75V 56A DPAK
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Caractéristiques
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Les FET, les MOS
Caractéristique de FET:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 100µA
Température de fonctionnement:
-55°C à 175°C (TJ)
Package / Case:
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
84 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
9mOhm @ 46A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
75 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
3070 pF @ 50 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
HEXFET®
Supplier Device Package:
D-Pak
Mfr:
Infineon Technologies
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
56A (Tc)
Power Dissipation (Max):
140W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IRFR3607
Introduction
N-canal 75 V 56A (Tc) 140W (Tc) Monture de surface D-Pak
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Courant:
MOQ: