Si le produit est présent dans le produit, il doit être soumis à un contrôle d'approvisionnement.
fabricant:
Vishay Siliconix
Description:
MOSFET P-CH 20V 9.8A 8SO
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Caractéristiques
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
56 nC @ 4.5 V
FET Feature:
-
Product Status:
Active
Mounting Type:
Surface Mount
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Series:
TrenchFET®
Vgs (Max):
±12V
Vgs(th) (maximum) @ Id:
1.4V @ 250µA
Supplier Device Package:
8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
11mOhm @ 13,7A, 10V
Mfr:
Vishay Siliconix
Température de fonctionnement:
-55°C à 150°C (TJ)
FET Type:
P-Channel
Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé):
2.5V, 10V
Power Dissipation (Max):
1.5W (Ta)
Package / Case:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Drain to Source Voltage (Vdss):
20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
9.8A (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SI4463
Introduction
Le débit d'électricité doit être supérieur ou égal à la puissance de l'appareil.
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Les données de référence doivent être fournies conformément à l'annexe II.
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Le numéro de série IRFP21N60LPBF
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Les résultats de l'analyse sont publiés dans le Bulletin de l'OMS.
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Les résultats de l'enquête sont publiés dans le Bulletin de l'OMS.
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