SI4896DY-T1-E3
fabricant:
Vishay Siliconix
Description:
MOSFET N-CH 80V 6.7A 8SO
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Caractéristiques
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs:
41 OR @ 10 V
FET Feature:
-
Statut du produit:
Actif
Mounting Type:
Surface Mount
le paquet:
Tape et bobine (TR)
Tape à découper (CT)
Digi-Reel®
Series:
TrenchFET®
Vgs (Max):
±20V
Vgs(th) (Max) @ Id:
2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package:
8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
16.5mOhm @ 10A, 10V
Mfr:
Vishay Siliconix
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
6V, 10V
Power Dissipation (Max):
1.56W (Ta)
Package / Case:
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Drain to Source Voltage (Vdss):
80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
6.7A (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SI4896
Introduction
N-canal 80 V 6.7A (Ta) 1.56W (Ta) Monture de surface 8-SOIC
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Les données de référence doivent être fournies conformément à l'annexe II.
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Le numéro de série IRFP21N60LPBF
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Les résultats de l'enquête sont publiés dans le Bulletin de l'OMS.
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