RHP020N06T100
Caractéristiques
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 1mA
Operating Temperature:
150°C (TJ)
Package / Case:
TO-243AA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
14 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
200mOhm @ 2A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
60 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
140 pF @ 10 V
Mounting Type:
Surface Mount
Série:
-
Supplier Device Package:
MPT3
Mfr:
Semi-conducteurs Rohm
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
2A (Ta)
Dissipation de puissance (maximum):
500mW (ventres)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Numéro du produit de base:
RHP020
Introduction
N-canal 60 V 2A (Ta) 500 mW (Ta) Monture de surface MPT3
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Le numéro de série RSR025N05TL
NCH 45V 2.5A SMALL SIGNAL MOSFET

Le nombre de points de contrôle est le nombre de points de contrôle.
MOSFET N-CH 100V 5A TO252

RQ3E100ATTB
MOSFET P-CH 30V 10A/31A 8HSMT
Image | partie # | Description | |
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RSD050N10TL |
MOSFET N-CH 100V 5A CPT3
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|
![]() |
RRR040P03TL |
MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3
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RSR025P03TL |
MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3
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Le système de surveillance de la sécurité des véhicules ne doit pas être utilisé. |
MOSFET N-CH 60V 12A/36A 8HSOP
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RUM003N02T2L |
MOSFET N-CH 20V 300MA VMT3
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RD3P130SPTL1 |
MOSFET P-CH 100V 13A TO252
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RD3H200SNTL1 |
MOSFET N-CH 45V 20A TO252
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Le numéro de série RSR025N05TL |
NCH 45V 2.5A SMALL SIGNAL MOSFET
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Le nombre de points de contrôle est le nombre de points de contrôle. |
MOSFET N-CH 100V 5A TO252
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RQ3E100ATTB |
MOSFET P-CH 30V 10A/31A 8HSMT
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