Le numéro de série IRFD110PBF
fabricant:
Vishay Siliconix
Description:
MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Caractéristiques
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4V @ 250µA
Température de fonctionnement:
-55°C à 175°C (TJ)
Package / Case:
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs:
8,3 OR @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
540mOhm @ 600mA, 10V
Type de FET:
N-canal
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
le paquet:
Tuyaux
Drain to Source Voltage (Vdss):
100 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
180 pF @ 25 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
-
Supplier Device Package:
4-HVMDIP
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
1A (Ta)
Power Dissipation (Max):
1.3W (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
IRFD110
Introduction
N-canal 100 V 1A (Ta) 1,3 W (Ta) à travers le trou 4-HVMDIP
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