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fabricant:
Vishay Siliconix
Description:
MOSFET N-CH 100V 90A TO263
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Caractéristiques
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
4.5V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case:
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
150 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
8.2mOhm @ 20A, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
100 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
6290 pF @ 50 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
TrenchFET®
Supplier Device Package:
TO-263 (D²Pak)
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
90A (Tc)
Power Dissipation (Max):
3.75W (Ta), 300W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SUM90
Introduction
N-canal 100 V 90A (Tc) 3,75W (Ta), 300W (Tc) Monture de surface TO-263 (D2Pak)
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