Si la valeur de l'échantillon est supérieure à 0,9
fabricant:
Vishay Siliconix
Description:
MOSFET P-CH 30V 36A 8SO
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Caractéristiques
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
2.5V @ 250µA
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Emballage / boîtier:
8-SOIC (0,154", largeur de 3,90 mm)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
285 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
3.3mOhm @ 20A, 10V
FET Type:
P-Channel
Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé):
4.5V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
30 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
9685 pF @ 15 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
TrenchFET®
Supplier Device Package:
8-SOIC
Mfr:
Vishay Siliconix
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
36A (Tc)
Power Dissipation (Max):
3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SI4497
Introduction
P-Channel 30 V 36A (Tc) 3,5 W (Ta), 7,8 W (Tc) Monture de surface 8-SOIC
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