RHU002N06T106
Caractéristiques
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Les FET, les MOS
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
-
Operating Temperature:
150°C (TJ)
Package / Case:
SC-70, SOT-323
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
4.4 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
2.4Ohm @ 200mA, 10V
FET Type:
N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
4V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Drain to Source Voltage (Vdss):
60 V
Vgs (Max):
±20V
Product Status:
Not For New Designs
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
15 pF @ 10 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
-
Supplier Device Package:
UMT3
Mfr:
Rohm Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
200mA (Ta)
Power Dissipation (Max):
200mW (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
RHU002
Introduction
N-canal 60 V 200 mA (Ta) 200 mW (Ta) Monture de surface UMT3
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Le numéro de série RSR025N05TL
NCH 45V 2.5A SMALL SIGNAL MOSFET

Le nombre de points de contrôle est le nombre de points de contrôle.
MOSFET N-CH 100V 5A TO252

RQ3E100ATTB
MOSFET P-CH 30V 10A/31A 8HSMT
Image | partie # | Description | |
---|---|---|---|
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RSD050N10TL |
MOSFET N-CH 100V 5A CPT3
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|
![]() |
RRR040P03TL |
MOSFET P-CH 30V 4A TSMT3
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RSR025P03TL |
MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3
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Le système de surveillance de la sécurité des véhicules ne doit pas être utilisé. |
MOSFET N-CH 60V 12A/36A 8HSOP
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RUM003N02T2L |
MOSFET N-CH 20V 300MA VMT3
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RD3P130SPTL1 |
MOSFET P-CH 100V 13A TO252
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RD3H200SNTL1 |
MOSFET N-CH 45V 20A TO252
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Le numéro de série RSR025N05TL |
NCH 45V 2.5A SMALL SIGNAL MOSFET
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Le nombre de points de contrôle est le nombre de points de contrôle. |
MOSFET N-CH 100V 5A TO252
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RQ3E100ATTB |
MOSFET P-CH 30V 10A/31A 8HSMT
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