Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre concerné.
fabricant:
Vishay Siliconix
Description:
MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT-363
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Caractéristiques
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
12 nC @ 10 V
FET Feature:
-
Product Status:
Active
Mounting Type:
Surface Mount
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Series:
TrenchFET®
Vgs (Max):
±12V
Vgs(th) (Max) @ Id:
1.4V @ 250µA
Supplier Device Package:
SC-70-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
58mOhm @ 3.1A, 10V
Mfr:
Vishay Siliconix
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type:
N-Channel
Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé):
2.5V, 10V
Power Dissipation (Max):
2.8W (Tc)
Emballage / boîtier:
Les États membres doivent veiller à ce que les autorités compétentes de l'État membre concerné respe
Drain to Source Voltage (Vdss):
30 V
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C:
3.9A (Tc)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Numéro du produit de base:
SI1416
Introduction
N-canal 30 V 3,9A (Tc) 2,8W (Tc) Monture de surface SC-70-6
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Les données de référence doivent être fournies conformément à l'annexe II.
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Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'Union européenne.
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Le numéro de série IRFP21N60LPBF
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Les résultats de l'analyse sont publiés dans le Bulletin de l'OMS.
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Les résultats de l'enquête sont publiés dans le Bulletin de l'OMS.
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Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre de l'expédition.
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Le système de contrôle de l'équipement doit être équipé d'un système de contrôle de l'équipement.
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Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'état de l'équipement.
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