Le SSM3J332R, LF
Caractéristiques
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
1.2V @ 1mA
Operating Temperature:
150°C (TJ)
Emballage / boîtier:
Avances SOT-23-3 plates
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
8.2 nC @ 4.5 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
42 mOhm @ 5A, 10V
FET Type:
P-Channel
Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé):
1.8V, 10V
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
30 V
Vgs (Max):
±12V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
560 pF @ 15 V
Mounting Type:
Surface Mount
Series:
U-MOSVI
Supplier Device Package:
SOT-23F
Mfr:
Toshiba Semiconductor and Storage
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
6A (Ta)
Power Dissipation (Max):
1W (Ta)
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Base Product Number:
SSM3J332
Introduction
Le système de détection de la pollution atmosphérique doit être équipé d'un système de détection de la pollution atmosphérique.
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Image | partie # | Description | |
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Le SSM3J328R, LF |
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