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Le nombre de points de contrôle est le suivant:

fabricant:
Semi-conducteurs Rohm
Description:
SICFET N-CH 1200V 72A TO247N
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Caractéristiques
Category:
Discrete Semiconductor Products Transistors FETs, MOSFETs Single FETs, MOSFETs
FET Feature:
-
Vgs(th) (Max) @ Id:
5.6V @ 13.3mA
Température de fonctionnement:
175°C (TJ)
Package / Case:
TO-247-3
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs:
Pour les appareils à combustion
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
39mOhm @ 27A, 18V
Type de FET:
N-canal
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
18V
le paquet:
Tuyaux
Drain to Source Voltage (Vdss):
1200 V
Vgs (Max):
+22V, -4V
Product Status:
Active
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds:
2222 pF @ 800 V
Mounting Type:
Through Hole
Series:
-
Supplier Device Package:
TO-247N
Mfr:
Rohm Semiconductor
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
72A (Tc)
Power Dissipation (Max):
339W (Tc)
Technology:
SiCFET (Silicon Carbide)
Base Product Number:
SCT3030
Introduction
N-canal 1200 V 72A (Tc) 339W (Tc) à travers le trou TO-247N
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MOQ: