Si la valeur de l'échantillon est supérieure à 0,9
Caractéristiques
Category:
Discrete Semiconductor Products
Transistors
FETs, MOSFETs
Single FETs, MOSFETs
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:
0.75 nC @ 4.5 V
FET Feature:
-
Product Status:
Active
Mounting Type:
Surface Mount
Package:
Tape & Reel (TR)
Cut Tape (CT)
Digi-Reel®
Series:
TrenchFET®
Vgs (Max):
±6V
Vgs(th) (Max) @ Id:
900mV @ 250µA
Supplier Device Package:
SC-75A
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
700mOhm @ 600mA, 4.5V
Mfr:
Vishay Siliconix
Operating Temperature:
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de FET:
N-canal
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On):
1.8V, 4.5V
Dissipation de puissance (maximum):
150mW (Ta)
Package / Case:
SC-75, SOT-416
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
500mA (Ta)
Technologie:
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Base Product Number:
SI1012
Introduction
N-canal 20 V 500mA (Ta) 150mW (Ta) Monture de surface SC-75A
Produits connexes

Les données de référence doivent être fournies conformément à l'annexe II.
MOSFET N-CH 60V 240MA SOT23-3

SIR872ADP-T1-RE3
MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8

Le nombre d'émissions de CO2 est calculé en fonction de l'indice de CO2 de l'appareil.
MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8

Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'Union européenne.
MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8

Le numéro de série IRFP21N60LPBF
MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3

Les résultats de l'analyse sont publiés dans le Bulletin de l'OMS.
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

Les résultats de l'enquête sont publiés dans le Bulletin de l'OMS.
MOSFET P-CH 150V 37A PPAK SO-8

Les données sont fournies par les autorités compétentes de l'État membre de l'expédition.
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

Le système de contrôle de l'équipement doit être équipé d'un système de contrôle de l'équipement.
MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252

Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'état de l'équipement.
MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8
Envoyez le RFQ
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