Le SRAS05VL
fabricant:
Sanken Electric États-Unis Inc.
Description:
DIODE GEN PURP 800V 1A SMD
Catégorie:
Produits semiconducteurs discrets
Caractéristiques
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Diodes
Les produits de rectification
Diodes simples
Statut du produit:
Actif
Courant - Fuite inverse @ Vr:
5 μA @ 800 V
Type de montage:
Monture de surface
Voltage - vers l'avant (Vf) (maximum) @ Si:
1.05 V @ 1 A
le paquet:
Tape et bobine (TR)
Tape à découper (CT)
Digi-Reel®
Série:
-
Capacité @ Vr, F:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Le SMD
Temps de récupération inverse (trr):
19 μs
Mfr:
Sanken Electric USA Inc.
Technologie:
La norme
Température de fonctionnement - jonction:
-40°C à 150°C
Emballage / boîtier:
2-SMD, J-avance
Le niveau de tension doit être supérieur ou égal au niveau de la tension de l'appareil.:
Pour les appareils électroniques
Courant - Moyenne rectifiée (Io):
1A
Vite de mise en service:
Récupération standard > 500 ns, > 200 mA (Io)
Numéro du produit de base:
Le SARS05
Introduction
SMD à diode 800 V 1A montée à la surface
Related Products
FMY-1106S
DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F
Le numéro de série SJPB-H9
DIODE SCHOTTKY 90V 2A SJP
SJPL-H2VL
DIODE GEN PURP 200V 2A SJP
SJPB-H6VR, sous réserve de la modification de la présente annexe.
DIODE SCHOTTKY 60V 2A SJP
Département de la santé publique
DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F
Le SRAS01V1
DIODE GEN PURP 800V 1.2A AXIAL
SJPX-F2VR
DIODE GEN PURP 200V 1.5A SJP
| Image | partie # | Description | |
|---|---|---|---|
|
|
FMY-1106S |
DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F
|
|
|
|
Le numéro de série SJPB-H9 |
DIODE SCHOTTKY 90V 2A SJP
|
|
|
|
SJPL-H2VL |
DIODE GEN PURP 200V 2A SJP
|
|
|
|
SJPB-H6VR, sous réserve de la modification de la présente annexe. |
DIODE SCHOTTKY 60V 2A SJP
|
|
|
|
Département de la santé publique |
DIODE GEN PURP 600V 10A TO220F
|
|
|
|
Le SRAS01V1 |
DIODE GEN PURP 800V 1.2A AXIAL
|
|
|
|
SJPX-F2VR |
DIODE GEN PURP 200V 1.5A SJP
|
Envoyez le RFQ
Courant:
MOQ: