BSC0906NS
fabricant:
Infineon Technologies
Description:
Le système de détection de la pollution atmosphérique est utilisé pour la détection de la pollution
Catégorie:
Semi-conducteurs
Caractéristiques
Polarité de transistor:
N-canal
Technologie:
SI
Catégorie de produits:
Transistor MOSFET
Mode de montage:
Le système de détection de l'émission
Nom commercial:
OptiMOS
Température de fonctionnement minimale:
- 55 C
Emballage / boîtier:
TDSON-8
Température de fonctionnement maximale:
+ 150 °C
Vds - tension claque de Drain-source:
30 V
emballage:
Le rouleau
Identification - courant continu de drain:
63 A
Le RDS sur - la résistance de Drain-source:
4,5 mOhms
Nombre de chaînes:
1ère chaîne
Vgs - tension de Porte-source:
20 V
Qg - charge de porte:
13 après JC
Produit de fabrication:
Infineon Technologies
Introduction
Le BSC0906NS,de Infineon Technologies,est un MOSFET.Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial,qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
Related Products
Le nombre d'unités de traitement est le suivant:
MOSFET N-Ch 650V 10.6A TO220FP-3 CoolMOS E6
Le nombre d'équipements utilisés est le suivant:
MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8
Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante:
MOSFET N-Ch 40V 75A DPAK-2 OptiMOS-T2
Le nombre de points de contrôle est le nombre de points de contrôle.
MOSFET N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS
IPW65R150CFD
MOSFET N-Ch 700V 22.4A TO247-3
Le nombre d'émissions de CO2
MOSFET N-Ch 650V 38A TO220-3 CoolMOS C6
IPW65R110CFD
MOSFET N-Ch 700V 31.2A TO247-3 CoolMOS CFD2
Pour les appareils de type à commande numérique:
MOSFET N-Ch 650V 10A ThinPAK-4 CoolMOS C7
Les mesures de sécurité doivent être appliquées conformément à l'annexe I.
MOSFET N-Ch 100V 40A TSDSON-8
Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'état de la pièce.
MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
| Image | partie # | Description | |
|---|---|---|---|
|
|
Le nombre d'unités de traitement est le suivant: |
MOSFET N-Ch 650V 10.6A TO220FP-3 CoolMOS E6
|
|
|
|
Le nombre d'équipements utilisés est le suivant: |
MOSFET N-Ch 60V 100A TDSON-8
|
|
|
|
Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la méthode suivante: |
MOSFET N-Ch 40V 75A DPAK-2 OptiMOS-T2
|
|
|
|
Le nombre de points de contrôle est le nombre de points de contrôle. |
MOSFET N-Ch 30V 100A TSDSON-8 OptiMOS
|
|
|
|
IPW65R150CFD |
MOSFET N-Ch 700V 22.4A TO247-3
|
|
|
|
Le nombre d'émissions de CO2 |
MOSFET N-Ch 650V 38A TO220-3 CoolMOS C6
|
|
|
|
IPW65R110CFD |
MOSFET N-Ch 700V 31.2A TO247-3 CoolMOS CFD2
|
|
|
|
Pour les appareils de type à commande numérique: |
MOSFET N-Ch 650V 10A ThinPAK-4 CoolMOS C7
|
|
|
|
Les mesures de sécurité doivent être appliquées conformément à l'annexe I. |
MOSFET N-Ch 100V 40A TSDSON-8
|
|
|
|
Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'état de la pièce. |
MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS
|
Envoyez le RFQ
Courant:
MOQ: