Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'échantillon.
fabricant:
Diodes incorporées
Description:
Le système de détection de l'émission de gaz est utilisé pour la détection des gaz.
Catégorie:
Semi-conducteurs
Caractéristiques
Catégorie de produits:
Transistor MOSFET
Vgs (maximum):
± 20 V
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C:
170mA (ventres)
@ qty:
0
Type de FET:
N-canal
Type de montage:
Monture de surface
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs:
-
Produit de fabrication:
Diodes incorporées
Quantité minimum:
3000
Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé):
4.5V, 10V
Le stock d'usine:
0
Température de fonctionnement:
-55°C à 150°C (TJ)
Caractéristique de FET:
-
Série:
-
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
60pF @ 25V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Le SOT-323
Statut de la partie:
Actif
emballage:
Tape et bobine (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
6 Ohm @ 170 mA, 10 V
Dissipation de puissance (maximum):
200mW (ventres)
Emballage / boîtier:
SC-70, SOT-323: les résultats de l'enquête ont été publiés.
Technologie:
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vgs(th) (maximum) @ Id:
2V @ 1mA
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
100 V
Introduction
Le BSS123W-7-F,de Diodes Incorporated,est un MOSFET.Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial,qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A
| Image | partie # | Description | |
|---|---|---|---|
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DMG1012T-7 |
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Le numéro de téléphone est le DMN61D9UW-7. |
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