DMN601TK-7
fabricant:
Diodes incorporées
Description:
Le débit de l'électricité doit être supérieur ou égal à:
Catégorie:
Semi-conducteurs
Caractéristiques
Catégorie de produits:
Transistor MOSFET
Vgs (maximum):
± 20 V
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C:
300mA (ventres)
@ qty:
0
Type de FET:
N-canal
Type de montage:
Monture de surface
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs:
-
Produit de fabrication:
Diodes incorporées
Quantité minimum:
3000
Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé):
5V, 10V
Le stock d'usine:
0
Température de fonctionnement:
-65°C à 150°C (TJ)
Caractéristique de FET:
-
Série:
-
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
50pF @ 25V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
SOT-523
Statut de la partie:
Actif
emballage:
Tape et bobine (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
2 Ohm @ 500 mA, 10 V
Dissipation de puissance (maximum):
150mW (Ta)
Emballage / boîtier:
SOT-523
Technologie:
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vgs(th) (maximum) @ Id:
2,5 V à 1 mA
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
60 V
Introduction
Le DMN601TK-7, de Diodes Incorporated,est un MOSFET.Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial,qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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Le numéro de téléphone est le DMN61D9UW-7.
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A
| Image | partie # | Description | |
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Le numéro de téléphone est le DMN61D9UW-7. |
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