2SK2837
fabricant:
Semi-conducteur de Toshiba
Description:
Type MOS du canal N du silicium (π−MOSV)
Catégorie:
Semi-conducteurs
Caractéristiques
Polarité de transistor:
N-canal
Catégorie de produits:
Transistor MOSFET
Température de fonctionnement minimale:
- 55 C
Dissipation de puissance Pd:
150 W
Temps de retard typique:
23 NS
Temps d'automne:
50 ns
Voltage de rupture de la source de vidéosurveillance:
500 V
Produit de fabrication:
Semi-conducteur de Toshiba
Longueur:
15,5 mm
Configuration:
Unique
Vgs - tension de Porte-source:
30 V
Rds Résistance à l'alimentation de la source de drainage:
270 mOhms
Temps de montée:
30 ns
Nombre de chaînes:
1ère chaîne
Temps de retard typique de l'arrêt:
71 NS
Taille:
20 mm
Id. Courant de vidange continu:
20 A
Style d'installation:
À travers le trou
Température de fonctionnement maximale:
+ 150 °C
Mode de la Manche:
Amélioration
Technologie:
SI
Largeur:
4,5 millimètres
Introduction
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