DMN63D8LW-7
fabricant:
Diodes incorporées
Description:
MOSFET N-CH 30V 0,38A SOT323
Catégorie:
Semi-conducteurs
Caractéristiques
Catégorie de produits:
Transistor MOSFET
Vgs (maximum):
± 20 V
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C:
380mA (Ta)
@ qty:
0
Type de FET:
N-canal
Type de montage:
Monture de surface
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs:
0.9nC @ 10V
Produit de fabrication:
Diodes incorporées
Quantité minimum:
3000
Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé):
2.5V, 10V
Le stock d'usine:
0
Température de fonctionnement:
-55°C à 150°C (TJ)
Caractéristique de FET:
-
Série:
-
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
23.2pF @ 25V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Le SOT-323
Statut de la partie:
Actif
emballage:
Tape et bobine (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
20,8 Ohm @ 250 mA, 10 V
Dissipation de puissance (maximum):
300mW (ventres)
Emballage / boîtier:
SC-70, SOT-323: les résultats de l'enquête ont été publiés.
Technologie:
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vgs(th) (maximum) @ Id:
1.5V @ 250µA
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
30 V
Introduction
Le DMN63D8LW-7, de Diodes Incorporated, est un MOSFET. Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial, qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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