CSD19534Q5A
fabricant:
Les instruments du Texas
Description:
Le débit de l'appareil doit être supérieur ou égal à:
Catégorie:
Semi-conducteurs
Caractéristiques
Catégorie de produits:
Transistor MOSFET
Vgs (maximum):
± 20 V
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C:
50A (Ta)
@ qty:
0
Type de FET:
N-canal
Type de montage:
Monture de surface
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs:
22nC @ 10V
Produit de fabrication:
Instruments du Texas
Quantité minimum:
2500
Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé):
6V, 10V
Le stock d'usine:
0
Température de fonctionnement:
-55°C à 150°C (TJ)
Caractéristique de FET:
-
Série:
NexFET™
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
1680pF @ 50V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
8-VSONP (5x6)
Statut de la partie:
Actif
emballage:
Tape et bobine (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
15.1 mOhm @ 10A, 10V
Dissipation de puissance (maximum):
3.2W (Ta), 63W (Tc)
Emballage / boîtier:
8-PowerTDFN
Technologie:
Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Vgs(th) (maximum) @ Id:
3.4V @ 250µA
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
100 V
Introduction
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