DMP58D0SV-7
fabricant:
Diodes incorporées
Description:
Le débit de l'électricité doit être supérieur ou égal à:
Catégorie:
Semi-conducteurs
Caractéristiques
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Le numéro de référence:
Catégorie de produits:
Transistor MOSFET
Le stock d'usine:
372000
Quantité minimum:
3000
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
27pF @ 25V
Emballage / boîtier:
Les États membres doivent respecter les dispositions de la présente directive.
Statut de la partie:
Actif
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C:
160 mA
emballage:
Tape et bobine (TR)
@ qty:
0
Température de fonctionnement:
-55°C à 150°C (TJ)
Type de FET:
P-canal 2 (double)
Caractéristique de FET:
Porte de niveau de logique
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
50 V
Type de montage:
Monture de surface
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs:
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
8 Ohm @ 100 mA, 5 V
Puissance maximale:
400mW
Vgs(th) (maximum) @ Id:
2.1V @ 250µA
Série:
-
Produit de fabrication:
Diodes incorporées
Introduction
Le DMP58D0SV-7, de Diodes Incorporated, est un MOSFET. Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial, qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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Le numéro de téléphone est le DMN61D9UW-7.
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A
| Image | partie # | Description | |
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Le numéro de téléphone est le DMN61D9UW-7. |
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