DMN63D8LDW-7
fabricant:
Diodes incorporées
Description:
Transistor MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Catégorie:
Semi-conducteurs
Caractéristiques
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Le code SOT-363
Catégorie de produits:
Transistor MOSFET
Le stock d'usine:
0
Quantité minimum:
3000
La capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds:
22pF @ 25V
Emballage / boîtier:
Les États membres doivent veiller à ce que les autorités compétentes de l'État membre concerné respe
Statut de la partie:
Actif
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C:
220mA
emballage:
Tape et bobine (TR)
@ qty:
0
Température de fonctionnement:
-55°C à 150°C (TJ)
Type de FET:
N-canal 2 (double)
Caractéristique de FET:
Porte de niveau de logique
Voltage d'évacuation à la source (Vdss):
30 V
Type de montage:
Monture de surface
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs:
870nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs:
20,8 Ohm @ 250 mA, 10 V
Puissance maximale:
300 mW
Vgs(th) (maximum) @ Id:
1.5V @ 250µA
Série:
-
Produit de fabrication:
Diodes incorporées
Introduction
Le DMN63D8LDW-7, de Diodes Incorporated, est un MOSFET. Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial, qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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