IR2121PBF
fabricant:
Infineon Technologies
Description:
Le conducteur du MOSFET IC du côté bas 8DIP
Catégorie:
Semi-conducteurs
Caractéristiques
Catégorie de produits:
Conducteurs de porte
Tension latérale élevée - maximum (amorce):
-
Temps de montée / chute (type):
43 ans, 26 ans
Tension de logique - VIL, VIH:
0.8V, 2.2V
Voltage - alimentation:
12 V à 18 V
Type de canal:
Unique
@ qty:
0
Type de montage:
À travers le trou
Produit de fabrication:
Infineon Technologies
Quantité minimum:
1
Le stock d'usine:
0
Température de fonctionnement:
-40°C à 150°C (TJ)
Nombre de conducteurs:
1
Série:
-
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
8-PDIP
Statut de la partie:
Actif
emballage:
Tuyaux
Type de porte:
IGBT, transistor MOSFET de N-canal
Configuration conduite:
Du côté bas
Type d'entrée:
Non-inverser
Emballage / boîtier:
8-DIP (0,300 et 7,62 mm)
Actuel - production maximale (source, évier):
1.6A, 3.3A
Introduction
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