SI8261BBC-C-IPR
fabricant:
Les laboratoires de silicium
Description:
PORTE DRVR 8DIPGW D'OIN 3.75KV DE DGTL
Catégorie:
Semi-conducteurs
Caractéristiques
Catégorie de produits:
Conducteurs de porte
Temps de montée / chute (type):
5.5n, 8.5n
Voltage - alimentation:
9,4 V | 30 V
@ qty:
0
Type de montage:
Monture de surface
Actuel - C.C en avant (si) (maximum):
30 mA
Produit de fabrication:
Les laboratoires de silicium
Quantité minimum:
500
Le stock d'usine:
0
Température de fonctionnement:
-40°C à 125°C
Actuel - production maximale:
4a
Immunité passagère de mode commun (minute):
35kV/µs
Voltage - Isolement:
3750Vrms
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Aile de la mouette 8-DIP
Déformation de durée d'impulsion (maximum):
28ns
Statut de la partie:
Actif
Courant - Sortie élevée, basse:
500 mA, 1,2 A
emballage:
Tape et bobine (TR)
Nombre de chaînes:
1
Tension - en avant (Vf) (type):
2.8V (maximum)
TpLH/tpHL de retard de propagation (maximum):
60ns, 50ns
Emballage / boîtier:
8-SMD, aile de mouette
Technologie:
Accouplement capacitif
Approbation:
CQC, CSA, UR, VDE
Série:
Automobile, AEC-Q100
Introduction
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