W9412G6KH-5
fabricant:
Électronique Winbond
Description:
IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II qui est utilisé pour les téléchargements
Catégorie:
Semi-conducteurs
Caractéristiques
Technologie:
SDRAM-DDR
Catégorie de produits:
Circuits intégrés mémoire
Type de mémoire:
Les produits de base
Le stock d'usine:
0
Écrire le temps du cycle - mot, page:
15 ans
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
66-TSOP II
Temps d'accès:
50 ans
Format de mémoire:
DRAM
Statut de la partie:
Actif
Taille de mémoire:
128Mo (8M x 16)
emballage:
Plateau
@ qty:
0
Température de fonctionnement:
Pour les appareils de traitement des eaux usées:
Quantité minimum:
1
Interface de mémoire:
Parallèlement
Emballage / boîtier:
66-TSSOP (0,400", largeur de 10,16 mm)
Type de montage:
Monture de surface
Fréquence d'horloge:
200 MHz
Voltage - alimentation:
2,3 V | 2,7 V
Série:
-
Produit de fabrication:
Électronique Winbond
Introduction
Le W9412G6KH-5, de Winbond Electronics, est des circuits intégrés de mémoire. Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial, qui sont en pièces d'origine et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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