NAND512R3A2SZA6E
fabricant:
Technologie des microns
Description:
Le système de mesure de la température doit être conforme à la norme ISO/IEC 1704:2008.
Catégorie:
Semi-conducteurs
Caractéristiques
Technologie:
Flash - NAND
Catégorie de produits:
Circuits intégrés mémoire
Type de mémoire:
Non volatils
Le stock d'usine:
0
Écrire le temps du cycle - mot, page:
50 ans
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
63-VFBGA (9x11)
Temps d'accès:
50 ans
Format de mémoire:
Le flash
Statut de la partie:
Dépassé
Taille de mémoire:
512Mb (64M x 8)
emballage:
Plateau
@ qty:
0
Température de fonctionnement:
-40°C à 85°C (TA)
Quantité minimum:
1260
Interface de mémoire:
Parallèlement
Emballage / boîtier:
63-TFBGA
Type de montage:
Monture de surface
Fréquence d'horloge:
-
Voltage - alimentation:
10,7 V à 1,95 V
Série:
-
Produit de fabrication:
Technologie des microns
Introduction
Le NAND512R3A2SZA6E,de Micron Technology,est des circuits intégrés de mémoire.Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial,qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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