Envoyer le message
Maison > produits > Semi-conducteurs > TC58NVG1S3ETA00

TC58NVG1S3ETA00

fabricant:
Toshiba
Description:
Mémoire flash 1 Gb 3.3 V SLC NAND Flash série EEPROM
Catégorie:
Semi-conducteurs
Caractéristiques
Courant d'approvisionnement - maximum:
30 mA
Catégorie de produits:
Mémoire flash
Type de mémoire:
NAND
Mode de montage:
Le système de détection de l'émission
Voltage d'alimentation - max:
3.6 V
Taille de mémoire:
2 Gbit
emballage:
Plateau
Voltage d'alimentation - Min:
2,7 V
Emballage / boîtier:
TSOP-48
Série:
Le nombre d'équipements utilisés est le suivant:
Type d'interface:
Parallèlement
Plage de température de fonctionnement:
0 C + à 70 C
Vite de mise en service:
25 ns
Produit de fabrication:
Toshiba
Introduction
Le TC58NVG1S3ETA00, de Toshiba, est une mémoire flash. Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial, qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
Produits connexes
Image partie # Description
Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'état de l'équipement.

Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'état de l'équipement.

Flash Memory 8Gb 3.3V SLC NAND Flash Memory EEPROM
Je vous en prie, faites-moi confiance.

Je vous en prie, faites-moi confiance.

Flash Memory 16GB NAND EEPROM
Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'échantillon.

Le nombre d'équipements utilisés est déterminé en fonction de l'échantillon.

Flash Memory 4Gb 3.3V SLC NAND Flash Serial EEPROM
Je vous en prie, faites-moi confiance.

Je vous en prie, faites-moi confiance.

Flash Memory 4GB NAND EEPROM
THGBMHG8C2LBAIL

THGBMHG8C2LBAIL

Flash Memory 32GB NAND EEPROM w/CQ
Les données sont fournies par les autorités compétentes.

Les données sont fournies par les autorités compétentes.

Flash Memory 1Gb 3.3V SLC NAND Flash Serial EEPROM
Je ne peux pas le faire.

Je ne peux pas le faire.

Flash Memory 8GB NAND EEPROM
THGBMHG7C1LBAIL

THGBMHG7C1LBAIL

Flash Memory 16GB NAND EEPROM w/CQ
Les données sont fournies par les autorités compétentes.

Les données sont fournies par les autorités compétentes.

Flash Memory 3.3V 16Gbit NAND EEPROM
Les produits de la catégorie 1 doivent être présentés dans la catégorie 1 de la présente annexe.

Les produits de la catégorie 1 doivent être présentés dans la catégorie 1 de la présente annexe.

Flash Memory 32Gb 3.3V IC Flash NAND EEPROM
Envoyez le RFQ
Courant:
MOQ: