NGB8207BNT4G
fabricant:
Littelfuse
Description:
Transistors IGBT GEN3 IGBT D2PAK 350V TR
Catégorie:
Semi-conducteurs
Caractéristiques
Catégorie de produits:
Transistors IGBT
Mode de montage:
Le système de détection de l'émission
Pd - Dissipation de l'énergie:
165 W
Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum:
Pour l'électricité
Emballage / boîtier:
D2PAK
Température de fonctionnement maximale:
+ 175 C
emballage:
Le rouleau
Tension maximum d'émetteur de porte:
15 V
Courant de collecteur continu à 25 C:
20 A
Produit de fabrication:
Littelfuse
Introduction
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