FGH40N60SMD
fabricant:
Fairchild Semi-conducteur
Description:
Transistors IGBT 600V, 40A IGBT à arrêt de champ
Catégorie:
Semi-conducteurs
Caractéristiques
courant de fuite de Porte-émetteur:
+/- 400 nA
Catégorie de produits:
Transistors IGBT
Mode de montage:
À travers le trou
Pd - Dissipation de l'énergie:
349 W
Tension de saturation de collecteur-émetteur:
2,1 V
Emballage / boîtier:
TO-247
Température de fonctionnement maximale:
+ 150 °C
emballage:
Tuyaux
Courant de collecteur continu à 25 C:
80 A
Produit de fabrication:
Fairchild Semi-conducteur
Introduction
Le FGH40N60SMD, de Fairchild Semiconductor, est des transistors IGBT. Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial, qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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