MJ11032G
fabricant:
Uniseme
Description:
Transistors Darlington 50A 120V Puissance bipolaire NPN
Catégorie:
Semi-conducteurs
Caractéristiques
Polarité de transistor:
NPN
Catégorie de produits:
Darlington Transistors
Mode de montage:
À travers le trou
Courant de collecteur CC maximal:
50 A
Pd - Dissipation de l'énergie:
300 W
Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum:
120 V
Emballage / boîtier:
TO-204-2 (TO-3)
Température de fonctionnement maximale:
+ 150 °C
emballage:
Plateau
Configuration:
Unique
Tension de collecteur-base VCBO:
120 V
Série:
MJ11032
Tension basse VEBO d'émetteur:
5 V
Produit de fabrication:
un demi
Introduction
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