FGD5T120SH
fabricant:
Fairchild Semi-conducteur
Description:
Transistors IGBT 1200V 5A Réglage de la tranchée IGBT
Catégorie:
Semi-conducteurs
Caractéristiques
courant de fuite de Porte-émetteur:
+/- 400 nA
Catégorie de produits:
Transistors IGBT
Mode de montage:
Le système de détection de l'émission
Courant de collecteur continu à 25 C:
10 A
Pd - Dissipation de l'énergie:
69 W
Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum:
1,2 kilovolts
Emballage / boîtier:
D-PAK-3
Température de fonctionnement maximale:
+ 150 °C
Tension maximum d'émetteur de porte:
+/- 25 V
emballage:
Le rouleau
Configuration:
Unique
Tension de saturation de collecteur-émetteur:
2,9 V
Produit de fabrication:
Fairchild Semi-conducteur
Introduction
Le FGD5T120SH, de Fairchild Semiconductor, est des transistors IGBT. Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial, qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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