Pour les véhicules à moteur électrique
fabricant:
Infineon Technologies
Description:
Transistors IGBT Trenchstop 5 IGBT
Catégorie:
Semi-conducteurs
Caractéristiques
courant de fuite de Porte-émetteur:
Na 100
Catégorie de produits:
Transistors IGBT
Mode de montage:
À travers le trou
Pd - Dissipation de l'énergie:
274 W
Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum:
650 V
Emballage / boîtier:
TO-247-3
Température de fonctionnement maximale:
+ 175 C
Tension maximum d'émetteur de porte:
+/- 20
Tension de saturation de collecteur-émetteur:
1,35V
Produit de fabrication:
Infineon Technologies
Introduction
L'IKW50N65ES5, de Infineon Technologies, est un transistor IGBT. Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial, qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
Produits connexes
IKW20N60T
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 20A
Pour les appareils à commande numérique
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 15A
IHW30N160R2
IGBT Transistors RC-IGBT MONO DIODE 1600V 30A
AUIRG4PH50S
| Image | partie # | Description | |
|---|---|---|---|
|
|
IKW20N60T |
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 20A
|
|
|
|
Pour les appareils à commande numérique |
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 15A
|
|
|
|
IHW30N160R2 |
IGBT Transistors RC-IGBT MONO DIODE 1600V 30A
|
|
|
|
AUIRG4PH50S |
|
Envoyez le RFQ
Courant:
MOQ: