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fabricant:
Fairchild Semi-conducteur
Description:
Transistors IGBT HGTP12N60C3D
Catégorie:
Semi-conducteurs
Caractéristiques
courant de fuite de Porte-émetteur:
+/- 100 nA
Catégorie de produits:
Transistors IGBT
Mode de montage:
À travers le trou
Courant de collecteur continu à 25 C:
24 A
Pd - Dissipation de l'énergie:
104 W
Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum:
600 V ou plus
Emballage / boîtier:
TO-220-3
Température de fonctionnement maximale:
+ 150 °C
Tension maximum d'émetteur de porte:
+/- 20 V
emballage:
Tuyaux
Configuration:
Unique
Tension de saturation de collecteur-émetteur:
1,65 V
Produit de fabrication:
Fairchild Semi-conducteur
Introduction
Le HGTP12N60C3D, de Fairchild Semiconductor, est des transistors IGBT. Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial, qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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