Le FGH40T100SMD
fabricant:
Fairchild Semi-conducteur
Description:
Transistors IGBT 1000V 40A Réglage de la tranchée de champ IGBT
Catégorie:
Semi-conducteurs
Caractéristiques
courant de fuite de Porte-émetteur:
Na 500
Catégorie de produits:
Transistors IGBT
Mode de montage:
À travers le trou
Courant de collecteur continu à 25 C:
80 A
Pd - Dissipation de l'énergie:
333 W
Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum:
Pour l'électricité
Emballage / boîtier:
TO-247
Température de fonctionnement maximale:
+ 175 C
emballage:
Tuyaux
Tension maximum d'émetteur de porte:
20 V
Tension de saturation de collecteur-émetteur:
2,3 V
Produit de fabrication:
Fairchild Semi-conducteur
Introduction
Le FGH40T100SMD, de Fairchild Semiconductor, est des transistors IGBT. Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial, qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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