HGT1S10N120BNST
fabricant:
Fairchild Semi-conducteur
Description:
Transistors IGBT N-canal IGBT NPT série 1200V
Catégorie:
Semi-conducteurs
Caractéristiques
courant de fuite de Porte-émetteur:
+/- 250 nA
Catégorie de produits:
Transistors IGBT
Mode de montage:
Le système de détection de l'émission
Courant de collecteur continu à 25 C:
35 A
Pd - Dissipation de l'énergie:
298 W
Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum:
Pour les appareils électroniques
Emballage / boîtier:
TO-263AB-3
Température de fonctionnement maximale:
+ 150 °C
Tension maximum d'émetteur de porte:
+/- 20 V
emballage:
Le rouleau
Configuration:
Unique
Tension de saturation de collecteur-émetteur:
2,7 V
Produit de fabrication:
Fairchild Semi-conducteur
Introduction
Le HGT1S10N120BNST, de Fairchild Semiconductor, est des transistors IGBT. Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial, qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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