Le modèle FSAM30SH60A
fabricant:
Fairchild Semi-conducteur
Description:
Modules IGBT 600V/30A/SPM2
Catégorie:
Semi-conducteurs
Caractéristiques
courant de fuite de Porte-émetteur:
250 uA
Catégorie de produits:
Modules d'IGBT
Courant de collecteur continu à 25 C:
30 A
Pd - Dissipation de l'énergie:
62 W
Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum:
600 V ou plus
Emballage / boîtier:
Les pièces détachées doivent être:
emballage:
Tuyaux
Tension de saturation de collecteur-émetteur:
2,5 V
Produit de fabrication:
Fairchild Semi-conducteur
Introduction
Le FSAM30SH60A, de Fairchild Semiconductor, est des modules IGBT. Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial, qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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