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Le nombre d'équipements utilisés

fabricant:
Infineon Technologies
Description:
Modules IGBT N-CH 1,7 KV 1,39KA
Catégorie:
Semi-conducteurs
Caractéristiques
courant de fuite de Porte-émetteur:
Na 400
Catégorie de produits:
Modules d'IGBT
Courant de collecteur continu à 25 C:
1390 A
Pd - Dissipation de l'énergie:
6,25 kilowatts
Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum:
Ventilateur
Emballage / boîtier:
Le PRIME3
Température de fonctionnement maximale:
+ 150 °C
Configuration:
Dual
Tension de saturation de collecteur-émetteur:
2,45 V
Produit:
Modules de silicium d'IGBT
Produit de fabrication:
Infineon Technologies
Introduction
Le FF1000R17IE4, de Infineon Technologies, est un module IGBT. Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial, qui est en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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