Le système de contrôle de l'équipement doit être conforme à l'annexe II.
fabricant:
Diodes incorporées
Description:
Transistors bipolaires - BJT -40V 150mW
Catégorie:
Semi-conducteurs
Caractéristiques
Polarité de transistor:
PNP
Catégorie de produits:
Transistors bipolaires - BJT
Mode de montage:
Le système de détection de l'émission
Courant de collecteur CC maximal:
0,2 A
Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum:
- 40 V
Emballage / boîtier:
SOT-523-3
Température de fonctionnement maximale:
+ 150 °C
Produit pi de largeur de bande de gain:
140 mégahertz
Configuration:
Unique
Tension de collecteur-base VCBO:
- 40 V
Série:
Le numéro de série:
Tension basse VEBO d'émetteur:
- 5 V
Tension de saturation de collecteur-émetteur:
- 0,4 V
Produit de fabrication:
Diodes incorporées
Introduction
Le MMBT3906T-7-F, de Diodes Incorporated, est des transistors bipolaires - BJT. ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial, qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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