Pour les appareils de surveillance de l'environnement:
fabricant:
Diodes incorporées
Description:
Transistors bipolaires - BJT NPN Trans/Switch Diode-Relay Drvr
Catégorie:
Semi-conducteurs
Caractéristiques
Polarité de transistor:
NPN
Catégorie de produits:
Transistors bipolaires - BJT
Mode de montage:
Le système de détection de l'émission
Courant de collecteur CC maximal:
500 mA
Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum:
80 V
Emballage / boîtier:
SOT-363-6
Température de fonctionnement maximale:
+ 150 °C
Produit pi de largeur de bande de gain:
100 MHz
Configuration:
Unique
Tension de collecteur-base VCBO:
80 V
Série:
Le numéro de série
Tension basse VEBO d'émetteur:
4 V
Tension de saturation de collecteur-émetteur:
250 système mv
Produit de fabrication:
Diodes incorporées
Introduction
Le DRDN005W-7, de Diodes Incorporated, est des transistors bipolaires - BJT. ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial, qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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