Le système de contrôle de l'équipement doit être conforme aux exigences de la présente directive.
fabricant:
Infineon Technologies
Catégorie:
Semi-conducteurs
Caractéristiques
courant de fuite de Porte-émetteur:
Na 400
Catégorie de produits:
Modules d'IGBT
Courant de collecteur continu à 25 C:
530 A
Pd - Dissipation de l'énergie:
W 1250
Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum:
650 V
Emballage / boîtier:
Le paquet hybride2
Température de fonctionnement maximale:
+ 150 °C
Configuration:
3 phases
Tension de saturation de collecteur-émetteur:
1,4 V
Produit:
Modules de silicium d'IGBT
Produit de fabrication:
Infineon Technologies
Introduction
Le FS600R07A2E3, de Infineon Technologies, est des modules IGBT. Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial, qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
Produits connexes
FF300R12KT4
Le montant de la subvention est fixé à la valeur de la subvention.
Pour les véhicules à moteur à combustion
Le code de désignation est le code de désignation de l'entreprise.
Le code de l'émetteur est le code de l'émetteur
Le numéro de série est le numéro de série de l'avion.
Le numéro de série est le numéro de série.
Le numéro de série est le numéro de série.
AIKQ120N60CT
Les produits de la catégorie 1 doivent être présentés dans la liste ci-dessous:
Envoyez le RFQ
Courant:
MOQ: