Caractéristiques
Polarité de transistor:
NPN
Catégorie de produits:
Transistors bipolaires - BJT
Mode de montage:
Le système de détection de l'émission
Tension de collecteur-émetteur VCEO maximum:
600 V ou plus
Température de fonctionnement maximale:
+ 150 °C
Configuration:
Unique
Tension de collecteur-base VCBO:
600 V ou plus
Tension basse VEBO d'émetteur:
6 V
Tension de saturation de collecteur-émetteur:
50 système mv
Produit de fabrication:
Nexperia
Introduction
Le PBHV8560ZX,de Nexperia,est des transistors bipolaires - BJT. Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial,qui sont en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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PBSS9110X,135

Le nombre d'équipements utilisés

les éléments suivants sont inclus:315

BC846B,235

BCP56-16 115

Le BC857CW,115

BC856BW,115

Le montant de la subvention est calculé en fonction des coûts de production.
Bipolar Transistors - BJT BCP53-16T/SC-73/REEL 7" Q1/T1

Le nombre d'heures de travail est le suivant:
Bipolar Transistors - BJT BCP56-10T/SC-73/REEL 7" Q1/T1
Image | partie # | Description | |
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BC856A,215 |
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PBSS9110X,135 |
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Le nombre d'équipements utilisés |
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les éléments suivants sont inclus:315 |
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BC846B,235 |
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BCP56-16 115 |
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Le BC857CW,115 |
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BC856BW,115 |
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Le montant de la subvention est calculé en fonction des coûts de production. |
Bipolar Transistors - BJT BCP53-16T/SC-73/REEL 7" Q1/T1
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Le nombre d'heures de travail est le suivant: |
Bipolar Transistors - BJT BCP56-10T/SC-73/REEL 7" Q1/T1
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