2SC5198
Caractéristiques
Polarité de transistor:
NPN
Catégorie de produits:
Transistors à jonction bipolaire (BJT)
Style d'installation:
À travers le trou
Dissipation de puissance Pd:
100 W
Quantité d'emballage d'usine:
2000
le paquet:
Couper la bande
Collecteur de courant continu:
10 A
Produit pi de largeur de bande de gain:
30 mégahertz
Configuration:
Triple
Type de produit:
BJT - Transistors bipolaires
Émetteur - tension de base VEBO:
5 V
Tension maximum VCEO de collecteur-émetteur:
140V
Colecteur de courant continu / Gain de base:
55
Produit de fabrication:
Toshiba
Introduction
Le 2SC5198, de Toshiba,est un circuit intégré à semi-conducteurs. Ce que nous offrons a un prix compétitif sur le marché mondial, qui est en pièces originales et neuves.Si vous souhaitez en savoir plus sur les produits ou appliquer un prix inférieur, veuillez nous contacter via le chat en ligne ou envoyez-nous un devis!
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C5198
Silicon NPN Triple Diffused Type Power Amplifier Applications

Le montant de l'aide est fixé à:
TOSHIBA Photocoupler GaAs Ired and Photo−Triac

2SK1830
Silicon N-Channel MOS FET

Les résultats de l'enquête
45W × 4-ch BTL Audio Power IC

2SK2611
MOSFET TO3PN PLN,ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04),

TA2022
STEREO 90W (4Ω) CLASS-T™ DIGITAL AUDIO AMPLIFIER DRIVER USING DIGITAL POWER PROCESSING (DPP™) TECHNOLOGY

TK15J50D
Switching Regulator Applications

MP4020
High Power Switching Applications Hammer Drive, Pulse Motor Drive and Inductive Load Switching

Le numéro de série est le suivant:
Image | partie # | Description | |
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![]() |
C5198 |
Silicon NPN Triple Diffused Type Power Amplifier Applications
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Le montant de l'aide est fixé à: |
TOSHIBA Photocoupler GaAs Ired and Photo−Triac
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2SK1830 |
Silicon N-Channel MOS FET
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Les résultats de l'enquête |
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Le numéro de série est le suivant: |
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