Les États membres doivent fournir des informations détaillées sur les mesures prises.
Caractéristiques
Catégorie:
Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Bipolaire (BJT)
Courant - collecteur (Ic) (maximum):
100 MA
Statut du produit:
Actif
Type de transistor:
NPN - Pré-biasé + diode
Type de montage:
Monture de surface
Fréquence - Transition:
250 MHz
le paquet:
Tape et bobine (TR)
Série:
-
Vce saturation (max) @ Ib, Ic:
300mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max):
50 V
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur:
Le SOT-323
Résistance - Base (R1):
10 kOhms
Mfr:
Technologie Yangjie
Courant - Coupe du collecteur (maximum):
500 nA
Puissance maximale:
200 mW
Emballage / boîtier:
SC-70, SOT-323: les résultats de l'enquête ont été publiés.
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce:
30 @ 5mA, 5V
Numéro du produit de base:
DTC114
Introduction
Transistor bipolaire pré-biasé (BJT) NPN - Pré-biasé + diode 50 V 100 mA 250 MHz 200 mW Monture de surface SOT-323
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SOT-323 NPN 0.2W 0.1A Transisto

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SOT-323 NPN 0.2W 0.1A Transisto
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DTC114YUA |
Transistors - Bipolar (BJT) - Si
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SOT-323 NPN 0.2W 0.1A Transisto
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